RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
40
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
2468
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link