RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
2633
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link