RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
2935
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link