RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
94
Wokół strony -262% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
26
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3124
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link