RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
94
Wokół strony -309% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3025
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link