RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
94
Wokół strony -309% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2561
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link