RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
94
Wokół strony -348% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
21
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3437
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link