RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
94
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3609
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link