RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
94
Wokół strony -224% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
29
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2967
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link