RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
94
Wokół strony -292% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
24
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
4202
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link