RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
94
Wokół strony -422% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
18
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3609
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link