RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
94
Wokół strony -276% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
25
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3668
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link