RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
94
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
34
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2319
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link