RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
94
Wokół strony -327% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
22
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3515
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link