RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
94
Wokół strony -309% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2545
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link