RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
94
Wokół strony -309% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2545
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link