RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
94
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
37
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2277
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link