RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
94
Wokół strony -194% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
32
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1844
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link