RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
94
Wokół strony -194% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
32
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1844
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link