RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
94
Wokół strony -292% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
24
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1983
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link