RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
94
Wokół strony -224% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
29
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3434
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link