RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
94
Wokół strony -309% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
4095
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link