RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
94
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
36
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3009
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link