RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
47
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
5.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
47
Prędkość odczytu, GB/s
5.7
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1072
1413
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link