RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3171
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link