RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
4.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
4.6
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1560
3106
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link