RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
4.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
4.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1560
2732
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link