RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
4.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
4.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1560
2618
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link