RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
66
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2607
1953
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link