RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
3705
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link