RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
2104
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link