RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
42
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
2427
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link