RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
70
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
70
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
2519
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link