RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
59
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
59
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
2727
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link