RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3019
2221
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link