RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3019
2863
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link