RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3019
2227
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link