RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3019
2336
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link