RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
32
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3509
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link