RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
56
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
3030
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link