RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
56
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
42
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2034
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link