RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
56
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2698
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link