RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
56
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2288
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link