RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
63
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
63
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
1863
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link