RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3693
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link