RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
52
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2945
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link