RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
79
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
79
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
1651
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link