RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3313
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link