RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
52
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3233
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link