RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3373
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link