RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3482
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905316-175.A00LF 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link