RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.9
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
24.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
19.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
4174
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link